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- Resumen es exacto "Un dosímetro MOS es un transistor MOS cuyo desplazamiento de la tensión umbral VT se utiliza para estimar la dosis absorbida de radiación ionizante. El valor de la tensión umbral también depende de la temperatura, por lo tanto la variación de la temperatura introduce un error en la medición de la dosis. Diferentes técnicas de mitigación del error por temperatura, entre ellas la del mínimo coeficiente térmico (ZTC), suponen una característica térmica del dosímetro MOS invariante con la dosis de irradiación acumulada. En el presente trabajo de tesis se estudio la influencia de la radiación ionizante sobre los parámetros térmicos de un dosímetro MOS de canal n fabricado con un aislante de compuerta de oxido de campo (FOXFET). Para ello se caracterizo el dosímetro para diferentes temperaturas utilizando un controlador de temperatura diseñado especialmente para este trabajo. De las características se obtuvieron los parámetros del transistor MOS, entre ellos la tensión umbral VT , el coeficiente térmico de la tensión umbral 0T , la movilidad μ y la corriente de mínimo coeficiente térmico IZTC. Seguidamente se sometió al dosímetro a diferentes dosis de irradiación y se analizo el comportamiento de dichos parámetros con la dosis acumulada y el tiempo transcurrido luego de la irradiación.
Los resultados experimentales muestran un aumento del valor absoluto de ØT y un aumento de la corriente IZTC con la acumulación de dosis. Estos cambios se relacionaron con la creación de estados de interfaz y fueron explicados mediante modelos teóricos basados en trabajos previos en la literatura. Finalmente se propone una expresión para predecir el valor de IZTC dada la variación de la densidad de estados de interfaz ΔNit."
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