1
10
1
-
https://bibliotecadigital.fi.uba.ar/files/original/8b111e23580ad8cc28c39c2e96cab62b.pdf
be1d94cf6fda114e1214e59193756fa9
Dublin Core
The Dublin Core metadata element set is common to all Omeka records, including items, files, and collections. For more information see, http://dublincore.org/documents/dces/.
Title
A name given to the resource
<h3>Tesis de Grado</h3>
Texto - Tesis
Metadatos procedentes de la migración desde Koha.
AIG
18166
Barcode
43852
Signatura
C343
T 2038
Jurado de la tesis
Faigón, Adrián Néstor
Lutenberg, Ariel
Alvarez-Hamelin, José Ignacio
Dublin Core
The Dublin Core metadata element set is common to all Omeka records, including items, files, and collections. For more information see, http://dublincore.org/documents/dces/.
Description
An account of the resource
Grado obtenido: Ingeniero/a Electrónico de la Universidad de Buenos Aires
Disciplina: Ingeniería Electrónica
Fil: Cassani, María Victoria. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería
Presenta índice de contenido, índice de tablas e índice de figuras
Type
The nature or genre of the resource
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
info:ar-repo/semantics/tesis de grado
tesis de grado
Title
A name given to the resource
Caracterización y modelización de dispositivos mos frente a radiación ionizante
Creator
An entity primarily responsible for making the resource
Cassani, María Victoria
Contributor
An entity responsible for making contributions to the resource
García Inza, Mariano
Carbonetto, Sebastián Horacio
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
Date
A point or period of time associated with an event in the lifecycle of the resource
2018
Subject
The topic of the resource
DISPOSITIVOS MOSFET
INGENIERIA ELECTRONICA
DOSIMETRIA
RADIACION IONIZANTE
Extent
The size or duration of the resource.
88 p.
Access Rights
Information about who can access the resource or an indication of its security status. Access Rights may include information regarding access or restrictions based on privacy, security, or other policies.
http://bibliotecadigital.fi.uba.ar/rights
Rights
Information about rights held in and over the resource
info:eu-repo/semantics/openAccess
Language
A language of the resource
spa
Medium
The material or physical carrier of the resource.
application/pdf
Publisher
An entity responsible for making the resource available
Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería
Abstract
A summary of the resource.
Los dosímetros MOS son objeto de estudio para diversas aplicaciones
médicas y espaciales. En el presente trabajo, se caracterizaron transistores
de óxido grueso (600 nm) construidos previamente con el fin de ser utilizados como sensores y se evaluó una propuesta de método de medición. Además, se halló un ajuste de los datos obtenidos de las mediciones a través de un modelo basado en los fenómenos físicos involucrados.
Se midió la respuesta de los dosímetros frente a distintas tensiones de
polarización, la sensibilidad en función de la tensión umbral y del ángulo
de incidencia de la radiación, el efecto de fading, el porcentaje de dosis en
profundidad, la dependencia con el campo de irradiación y la dependencia
del dispositivo con la temperatura. Las caracterizaciones frente a radiación
se llevaron a cabo con un acelerador lineal (LINAC) de 6 MV. Al evaluar
la sensibilidad con la tensión de polarización de gate se obtuvo para V BIAS
= 0 V 74 mV/Gy, y luego aumentando hasta obtener con V BIAS = 24 V
270 mV/Gy. Trabajando con V BIAS = 0 V se obtuvo un rango de medición
de 85 Gy con una sensibilidad promedio de 62 mV/Gy. La profundidad de
dosis máxima medida fue 1,3 cm, igual que la cámara de ionización usada
como referencia. La respuesta angular presentó una variación menor al 8 %.
El coeficiente térmico resultó ser -3,5 mV/ o C.
Se observó que el modelo numérico reproduce correctamente la respuesta
del sensor a la radiación, en particular la sensibilidad del mismo en función
de la tensión V BIAS y la evolución con la dosis de la tensión umbral para
una tensión V BIAS = 12 V constante. Considerando un único parámetro de
ajuste dado por el producto de la densidad de defectos y la tasa de captura de huecos, el error máximo obtenido es menor al 9 %. A partir del ajuste previo, se simuló la respuesta del sensor durante una medición con V BIAS alternado entre 20 V y 0 V, observándose cómo la simulación predice el comportamiento general del sensor.
Se propuso y evaluó un sistema de medición que permite utilizar al dosímetro MOS polarizado con un capacitor que evita el uso de cables y permite obtener mayor sensibilidad. Las pruebas realizadas con una fuente de Sr-90 permitieron observar que para un dispositivo previamente irradiado existe un efecto de fading inicial que influye considerablemente en la respuesta. Una vez extinguido este fenómeno las mediciones presentaron valor medio constante y con una dispersión de 2,6 %.
DISPOSITIVOS MOSFET
DOSIMETRIA
INGENIERIA ELECTRONICA
RADIACION IONIZANTE