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    <dcterms:title><![CDATA[Algunos cálculos sobre la mecánica del accidente de aviación de Carlos Gardel.]]></dcterms:title>
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<br />
</a>]]></dcterms:description>
    <dcterms:description><![CDATA[<a href="/items/browse?advanced%5B0%5D%5Belement_id%5D=41&advanced%5B0%5D%5Btype%5D=is+exactly&advanced%5B0%5D%5Bterms%5D=Fil%3A+Brinatti+V%C3%A1zquez%2C+Guillermo+Daniel.+CONICET%3B+Argentina.">Fil: Brinatti Vázquez, Guillermo Daniel. CONICET; Argentina.</a>]]></dcterms:description>
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</rdf:Description><rdf:Description rdf:about="https://bibliotecadigital.fi.uba.ar/items/show/18133">
    <dcterms:title><![CDATA[Estudio experimental del control del escurrimiento 2D alrededor de dos cilindros, establecido en una película de jabón plana, mediante la rotación mecánica de los mismos]]></dcterms:title>
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    <dcterms:description><![CDATA[<a href="/items/browse?advanced%5B0%5D%5Belement_id%5D=41&advanced%5B0%5D%5Btype%5D=is+exactly&advanced%5B0%5D%5Bterms%5D=Tesis+desarrollada+en+el++Laboratorio+de+Fluidodin%C3%A1mica%2C+Departamento+de+Ingenier%C4%B1%CC%81a+Mec%C3%A1nica.+Facultad+de+Ingenier%C4%B1%CC%81a+de+la+Universidad+de+Buenos+Aires">Tesis desarrollada en el  Laboratorio de Fluidodinámica, Departamento de Ingenierı́a Mecánica. Facultad de Ingenierı́a de la Universidad de Buenos Aires</a>]]></dcterms:description>
    <dcterms:creator><![CDATA[<a href="/items/browse?advanced%5B0%5D%5Belement_id%5D=39&advanced%5B0%5D%5Btype%5D=is+exactly&advanced%5B0%5D%5Bterms%5D=Castro+Hebrero%2C+Federico+Nicol%C3%A1s">Castro Hebrero, Federico Nicolás</a>]]></dcterms:creator>
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    <dcterms:creator><![CDATA[<a href="/items/browse?advanced%5B0%5D%5Belement_id%5D=39&advanced%5B0%5D%5Btype%5D=is+exactly&advanced%5B0%5D%5Bterms%5D=Salgado%2C+Horacio">Salgado, Horacio</a>]]></dcterms:creator>
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    <dcterms:title><![CDATA[Caracterización y modelización de dispositivos mos frente a radiación ionizante  ]]></dcterms:title>
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    <dcterms:description><![CDATA[<a href="/items/browse?advanced%5B0%5D%5Belement_id%5D=41&advanced%5B0%5D%5Btype%5D=is+exactly&advanced%5B0%5D%5Bterms%5D=Disciplina%3A+Ingenieri%CC%81a+Electro%CC%81nica">Disciplina: Ingeniería Electrónica</a>]]></dcterms:description>
    <dcterms:description><![CDATA[<a href="/items/browse?advanced%5B0%5D%5Belement_id%5D=41&advanced%5B0%5D%5Btype%5D=is+exactly&advanced%5B0%5D%5Bterms%5D=Fil%3A+Cassani%2C+Mari%CC%81a+Victoria.+Universidad+de+Buenos+Aires.+Facultad+de+Ingenier%C3%ADa%3B+Argentina.">Fil: Cassani, María Victoria. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina.</a>]]></dcterms:description>
    <dcterms:abstract><![CDATA[<a href="/items/browse?advanced%5B0%5D%5Belement_id%5D=59&advanced%5B0%5D%5Btype%5D=is+exactly&advanced%5B0%5D%5Bterms%5D=Los+dos%C3%ADmetros+MOS+son+objeto+de+estudio+para+diversas+aplicaciones+m%C3%A9dicas+y+espaciales.+En+el+presente+trabajo%2C+se+caracterizaron+transistores+de+%C3%B3xido+grueso+%28600+nm%29+construidos+previamente+con+el+fin+de+ser+utilizados+como+sensores+y+se+evalu%C3%B3+una+propuesta+de+m%C3%A9todo+de+medici%C3%B3n.+Adem%C3%A1s%2C+se+hall%C3%B3+un+ajuste+de+los+datos+obtenidos+de+las+mediciones+a+trav%C3%A9s+de+un+modelo+basado+en+los+fen%C3%B3menos+f%C3%ADsicos+involucrados.+Se+midi%C3%B3+la+respuesta+de+los+dos%C3%ADmetros+frente+a+distintas+tensiones+de+polarizaci%C3%B3n%2C+la+sensibilidad+en+funci%C3%B3n+de+la+tensi%C3%B3n+umbral+y+del+%C3%A1ngulo+de+incidencia+de+la+radiaci%C3%B3n%2C+el+efecto+de+fading%2C+el+porcentaje+de+dosis+en+profundidad%2C+la+dependencia+con+el+campo+de+irradiaci%C3%B3n+y+la+dependencia+del+dispositivo+con+la+temperatura.+Las+caracterizaciones+frente+a+radiaci%C3%B3n+se+llevaron+a+cabo+con+un+acelerador+lineal+%28LINAC%29+de+6+MV.+Al+evaluar+la+sensibilidad+con+la+tensi%C3%B3n+de+polarizaci%C3%B3n+de+gate+se+obtuvo+para+V+BIAS+%3D+0+V+74+mV%2FGy%2C+y+luego+aumentando+hasta+obtener+con+V+BIAS+%3D+24+V+270+mV%2FGy.+Trabajando+con+V+BIAS+%3D+0+V+se+obtuvo+un+rango+de+medici%C3%B3n+de+85+Gy+con+una+sensibilidad+promedio+de+62+mV%2FGy.+La+profundidad+de+dosis+m%C3%A1xima+medida+fue+1%2C3+cm%2C+igual+que+la+c%C3%A1mara+de+ionizaci%C3%B3n+usada+como+referencia.+La+respuesta+angular+present%C3%B3+una+variaci%C3%B3n+menor+al+8+%25.+El+coeficiente+t%C3%A9rmico+result%C3%B3+ser+-3%2C5+mV%2F+o+C.+Se+observ%C3%B3+que+el+modelo+num%C3%A9rico+reproduce+correctamente+la+respuesta+del+sensor+a+la+radiaci%C3%B3n%2C+en+particular+la+sensibilidad+del+mismo+en+funci%C3%B3n+de+la+tensi%C3%B3n+V+BIAS+y+la+evoluci%C3%B3n+con+la+dosis+de+la+tensi%C3%B3n+umbral+para+una+tensi%C3%B3n+V+BIAS+%3D+12+V+constante.+Considerando+un+%C3%BAnico+par%C3%A1metro+de+ajuste+dado+por+el+producto+de+la+densidad+de+defectos+y+la+tasa+de+captura+de+huecos%2C+el+error+m%C3%A1ximo+obtenido+es+menor+al+9+%25.+A+partir+del+ajuste+previo%2C+se+simul%C3%B3+la+respuesta+del+sensor+durante+una+medici%C3%B3n+con+V+BIAS+alternado+entre+20+V+y+0+V%2C+observ%C3%A1ndose+c%C3%B3mo+la+simulaci%C3%B3n+predice+el+comportamiento+general+del+sensor.+Se+propuso+y+evalu%C3%B3+un+sistema+de+medici%C3%B3n+que+permite+utilizar+al+dos%C3%ADmetro+MOS+polarizado+con+un+capacitor+que+evita+el+uso+de+cables+y+permite+obtener+mayor+sensibilidad.+Las+pruebas+realizadas+con+una+fuente+de+Sr-90+permitieron+observar+que+para+un+dispositivo+previamente+irradiado+existe+un+efecto+de+fading+inicial+que+influye+considerablemente+en+la+respuesta.+Una+vez+extinguido+este+fen%C3%B3meno+las+mediciones+presentaron+valor+medio+constante+y+con+una+dispersi%C3%B3n+de+2%2C6+%25.%0D%0A">Los dosímetros MOS son objeto de estudio para diversas aplicaciones médicas y espaciales. En el presente trabajo, se caracterizaron transistores de óxido grueso (600 nm) construidos previamente con el fin de ser utilizados como sensores y se evaluó una propuesta de método de medición. Además, se halló un ajuste de los datos obtenidos de las mediciones a través de un modelo basado en los fenómenos físicos involucrados. Se midió la respuesta de los dosímetros frente a distintas tensiones de polarización, la sensibilidad en función de la tensión umbral y del ángulo de incidencia de la radiación, el efecto de fading, el porcentaje de dosis en profundidad, la dependencia con el campo de irradiación y la dependencia del dispositivo con la temperatura. Las caracterizaciones frente a radiación se llevaron a cabo con un acelerador lineal (LINAC) de 6 MV. Al evaluar la sensibilidad con la tensión de polarización de gate se obtuvo para V BIAS = 0 V 74 mV/Gy, y luego aumentando hasta obtener con V BIAS = 24 V 270 mV/Gy. Trabajando con V BIAS = 0 V se obtuvo un rango de medición de 85 Gy con una sensibilidad promedio de 62 mV/Gy. La profundidad de dosis máxima medida fue 1,3 cm, igual que la cámara de ionización usada como referencia. La respuesta angular presentó una variación menor al 8 %. El coeficiente térmico resultó ser -3,5 mV/ o C. Se observó que el modelo numérico reproduce correctamente la respuesta del sensor a la radiación, en particular la sensibilidad del mismo en función de la tensión V BIAS y la evolución con la dosis de la tensión umbral para una tensión V BIAS = 12 V constante. Considerando un único parámetro de ajuste dado por el producto de la densidad de defectos y la tasa de captura de huecos, el error máximo obtenido es menor al 9 %. A partir del ajuste previo, se simuló la respuesta del sensor durante una medición con V BIAS alternado entre 20 V y 0 V, observándose cómo la simulación predice el comportamiento general del sensor. Se propuso y evaluó un sistema de medición que permite utilizar al dosímetro MOS polarizado con un capacitor que evita el uso de cables y permite obtener mayor sensibilidad. Las pruebas realizadas con una fuente de Sr-90 permitieron observar que para un dispositivo previamente irradiado existe un efecto de fading inicial que influye considerablemente en la respuesta. Una vez extinguido este fenómeno las mediciones presentaron valor medio constante y con una dispersión de 2,6 %.<br />
</a>]]></dcterms:abstract>
    <dcterms:creator><![CDATA[<a href="/items/browse?advanced%5B0%5D%5Belement_id%5D=39&advanced%5B0%5D%5Btype%5D=is+exactly&advanced%5B0%5D%5Bterms%5D=Cassani%2C+Mar%C3%ADa+Victoria">Cassani, María Victoria</a>]]></dcterms:creator>
    <dcterms:publisher><![CDATA[Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería]]></dcterms:publisher>
    <dcterms:date><![CDATA[2018]]></dcterms:date>
    <dcterms:contributor><![CDATA[García Inza, Mariano]]></dcterms:contributor>
    <dcterms:contributor><![CDATA[Carbonetto, Sebastián Horacio]]></dcterms:contributor>
    <dcterms:contributor><![CDATA[Sambuco Salomone, Lucas Ignacio]]></dcterms:contributor>
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